بررسی برخی خواص الکتریکی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی تهیه شده به روش سل- ژل

thesis
abstract

چکیده: نظر بر اینکه اکسید روی یک نیم رسانا با گاف باندی پهن می باشد به عنوان یک ماده ی مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد. اکسید روی علاوه بر کاربرد به عنوان یک رسانای شفاف و حسگر گازی، در ساخت واریستورها و سلولهای خورشیدی مورد استفاده قرار می گیرد. روش سل- ژل یک روش ساده، کم هزینه و جذاب برای تهیه لایه های نازک اکسید روی بوده و امکان تهیه لایه هائی با سطوح بزرگ و یکنواخت برای کاربردهای صنعتی را فراهم می کند. در این کار تجربی برای تهیه لایه های نازک اکسید روی از روش سل- ژل و غوطه وری در سلی از محلولهای زینک استات دی هیدرات، ایزوپروپانول و دی اتانول آمین به ترتیب به عنوان ماده اولیه، حلال و پایدارساز استفاده شده است. قبل از بررسی خواص فیزیکی، لایه ها تحت عملیات حرارتی قرار گرفته-اند تا کیفیت آنها بالا رود. در این پروژه، لایه های نازک اکسید روی با استفاده از روش سل- ژل و از سلی با غلظت 1.15 مول بر لیتر و با ضخامت بهینه تهیه و در دماهای به ترتیب 450 ، 550 و 600 درجه سانتیگراد بازپخت شده اند و پس از بازپخت، برخی از پارامترهای الکتریکی مانند مقاومت ویژه، رسانندگی الکتریکی، ضریب ثابت هال و گاف باندی برای نمونه هایی که در سه دمای مختلف بازپخت شده اند، اندازه گیری و نتایج باهم مقایسه شده اند. ضمناً ساختار لایه ها که در سه دمای مختلف بازپخت شده اند با استفاده از xrd و sem مورد بررسی قرار گرفته اند. منحنی طیف های عبوری حاصل از فیلم ها نشان می دهد که در ضخامت های پایین، درصد عبور بالا بوده و با افزایش ضخامت، فیلم ها کدرتر شده و درصد عبور کاهش می یابد، همچنین گاف باندی با افزایش دمای بازپخت کاهش می یابد. تحلیل های xrd نشان می دهند که ساختار فیلم های تهیه شده چند بلوری بوده و فیلم ها دارای ساختار نانوکریستال با اندازه دانه های بین 15 تا 50 نانومتر بوده و در حالت پودری اندازه دانه ها تا 90 نانومتر می رسد و با افزایش دمای بازپخت، قطر دانه ها بزرگتر شده و ساختار فیلم ها منظم تر و بلورینگی افزایش و میزان تخلخل ها کاهش می یابد. نتایج حاصل از اندازه گیری رسانندگی در دماهای مختلف با استفاده از یک زمپا نشان می دهند که با افزایش دما رسانندگی افزایش و مقاومت ویژه کاهش می یابد، زیرا zno یک نیمرسانای نوع n است که در آن تعداد حاملها با افزایش دما، افزایش پیدا می کند. نتایج حاصل از اندازه گیری ضریب ثابت هال حاکی از این است که این ضریب با افزایش دمای بازپخت کاهش پیدا می کند که به دلیل افزایش بلورینگی در ساختار فیلم هاست. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی sem بیانگر افزایش بلورینگی و نظم شبکه کریستالی اکسید روی و نیز افزایش اندازه دانه ها به دلیل افزایش دمای بازپخت می باشد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

full text

بررسی اثر غلظت وانادیوم بر خواص اپتیکی و الکتریکی لایه نازک نانو ساختار دی اکسید تیتانیوم تهیه شده به روش سل – ژل

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis  و AFM مورد مطالعه قرار گرفت.  نتایج الگوی XRD نشان داد که لایه­های نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونا...

full text

بررسی خواص اپتیکی فیلم های نازک اکسید منیزیم تهیه شده به روش سل- ژل

فیلم‏های نازک اکسید منیزیم به روش سل- ژل تهیه شدند. اثر دمای بازپخت روی خواص اپتیکی، ساختاری و مورفولوژیکی فیلم‏ها با استفاده از ftir، uv-visible، اسپکتروسکوپی فوتولومینسانس (pl)، پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ثابت‏های اپتیکی و ضخامت فیلم‏ها با رهیافت کمینه‏سازی نامقید نقطه‏گرا تعیین شد. شفافیت اپتیکی فیلم‏ها با افزایش دما کاهش می‏یابد. با افزایش دما ضریب شکست و ض...

full text

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه‌های نازک 4ZnSnS2Cu تهیه شده به روش سل- ژل چرخشی

In this study Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were deposited by sol–gel spin coating on glass substrates and the effect of metal salts ratio, annealing treatment with and without sulfur vapor on  structural, morphological and optical properties of CZTS films were investigated. Our results were showed that all CZTS thin films have kesterite structure.  Moreover increasing of zinc concentration and d...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023